Name: Infineon Technologies SI4435DYTR
Brand: Infineon Technologies
SKU: SI4435DYTR
Availability: InStock
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Infineon Technologies SI4435DYTR

Artikelnummer:

SI4435DYTR

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 30V 8A 8SO

Datenblätte:

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies SI4435DYTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4435DYTR.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)
SI4435DYTR Einzelheiten PDF [English]	SI4435DYTR PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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